(TAGORE) IMS2026 Spotlight / High-Power GaN RF Switch for Tactical Communication
- RT-TECH
- 7월 15일
- 2분 분량
IMS2026 Spotlight: Tagore Technology Introduces High-Power GaN RF Switches for Tactical Communications At IMS 2026, Pasi Tikka, Vice President of Strategy and Business Development at Tagore Technology, introduced the company's latest portfolio of high-power gallium nitride (GaN) RF switches for tactical communications, data links, and RF systems. The presentation highlighted the new TS8223K RF switch, along with additional high-power and tuning switch solutions announced during the show. Key Features TS8223K GaN RF switch • 10 W average power handling • 50 W peak power handling • 0.4 dB insertion loss up to 8.5 GHz • 30 dB isolation at 6 GHz • 120 ns switching time • High-power GaN RF switch portfolio • Binary-weighted tuning switches • SP60 and SP80 RF switches • 200 W RF switch with 350 W peak power handling The TS8223K is designed for data links, tactical radios, and MANET radio applications, combining low insertion loss, fast switching, and high-power handling in a compact GaN-based solution. The presentation also featured binary-weighted tuning switches for tunable low-pass filters and antenna tuning, as well as the SP60, SP80, and a 200 W RF switch supporting up to 350 W peak power. GaN RF switch technology enables high-power switching without the power consumption associated with PIN diode solutions. The fully tested switch components also simplify system integration by eliminating the need to validate discrete switching circuits after PCB assembly. Watch this IMS 2026 booth presentation to learn more about Tagore Technology's latest GaN RF switching solutions. TS8223K - https://www.everythingrf.com/products... Learn more about Tagore Technology: https://www.everythingrf.com/companie... Subscribe to everythingRF for more IMS 2026 booth tours, product demonstrations, and technical coverage from the RF and microwave industry. #IMS2026 #TagoreTechnology #GaN #RFSwitch #TacticalCommunications #RFEngineering #MicrowaveEngineering #MANET #DataLinks #everythingRF @mttims
IMS2026 스포트라이트: Tagore Technology, 전술 통신용 고전력 GaN RF 스위치 공개
IMS 2026에서 Tagore Technology의 전략 및 사업 개발 담당 부사장인 Pasi Tikka는 전술 통신, 데이터 링크 및 RF 시스템을 위한 최신 고전력 질화갈륨(GaN) RF 스위치 제품군을 소개했습니다.
이번 발표에서는 신제품 TS8223K RF 스위치를 비롯해 전시 기간 중 공개된 다양한 고전력 및 튜닝 스위치 솔루션이 중점적으로 다뤄졌습니다.
TS8223K GaN RF 스위치의 주요 특징
• 10W 평균 전력 처리 용량
• 50W 피크 전력 처리 용량
• 최대 8.5GHz 대역에서 0.4dB의 삽입 손실
• 6GHz 대역에서 30dB의 격리도(Isolation)
• 120ns의 스위칭 시간
• 고전력 GaN RF 스위치 제품군
• 이진 가중치(binary-weighted) 튜닝 스위치
• SP60 및 SP80 RF 스위치
• 200W RF 스위치 (350W 피크 전력 처리 용량)
TS8223K는 데이터 링크, 전술 무전기 및 MANET 무전기 애플리케이션을 위해 설계되었으며, 컴팩트한 GaN 기반 솔루션 내에서 낮은 삽입 손실, 빠른 스위칭, 높은 전력 처리 능력을 모두 갖추고 있습니다.
또한 이번 발표에서는 가변형 저역 통과 필터(tunable low-pass filter) 및 안테나 튜닝에 사용되는 이진 가중치 튜닝 스위치를 비롯해 SP60, SP80, 그리고 최대 350W의 피크 전력을 지원하는 200W RF 스위치도 함께 소개되었습니다.
GaN RF 스위치 기술은 PIN 다이오드 솔루션에서 발생하는 전력 소모 없이 고전력 스위칭을 가능하게 합니다. 또한, 철저한 테스트를 거친 스위치 부품을 사용함으로써 PCB 조립 후 개별 스위칭 회로를 검증할 필요가 없어 시스템 통합 과정이 간소화됩니다.
Tagore Technology의 최신 GaN RF 스위칭 솔루션에 대한 자세한 내용은 IMS 2026 부스 발표 영상을 통해 확인해 보십시오. 이 외에 문의 사항이나 필요하신 부분 있으시면 언제든 연락 주세요.
(주)알티테크 / 070-5080-2000 / sales1@rt-tech.co.kr
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